Номер детали производителя : | HS1BL M2G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1BL M2G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1BL M2G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1BL M2G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1B |
PWR XFMR LAMINATED 75VA CHAS MT
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 100V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
PWR XFMR LAMINATED 50VA CHAS MT
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FL